Samsung, ha iniziato la produzione di massa dei nuovi moduli di memoria da 4Gb (gigabit) low power double-data-rate 2 (LPDDR2) realizzati con processo a 20nm.
Tecnologia che permetterà di impilare quattro strati da 512MB uno sopra l’altro per un totale di 2 GB di RAM, ottenendo comunque lo stesso consumo ed ingombro di un attuale modulo di 1 GB.
Secondo Samsung “circa il 13 per cento delle spedizioni totali di memorie DRAM nel 2012, il 49 per cento nel 2013 ed il 63 per cento nel 2014 ed i moduli da 4Gb di DRAM diventeranno i chip più venduti sul mercato verso la fine del 2013”. Samsung con il Galaxy S3 versione LTE Giapponese ed LG con L’ Optimus LTE2 sono al momento gli unici due terminali ad implementare questo tipo di modulo.