Dopo la presentazione di Galaxy S6, i principali dibattiti sulla “memoria” hanno riguardato lo slot per la MicroSD.
Chi non sopporta il cambiamento, chi non lo ritiene un grande danno e chi si pone nel mezzo (come il sottoscritto).
Il punto è che, sul lato “storage”, si è parlato poco (o comunque non abbastanza secondo me) della nuova tecnologia impiegata da Samsung per migliorare le performance in lettura/scrittura del suo top di gamma.
Questo nuovo standard si chiama “Universal Flash Storage 2.0” (UFS 2.0) e sembra destinato ad “avvicinare” le memorie dei dispositivi mobili, a quelle più “pregiate” degli SSD Sata.
L’affermazione è volutamente esagerata (viste le prestazioni dei drive allo stato solido), ma serve a sottolineare la bontà delle UFS 2.0.
In termini di “prestazioni pure”, troviamo dei dati incoraggianti:
- Lettura Sequenziale: 350 MB/s
- Scrittura Sequenziale: 150 MB/s
- Lettura Casuale: 19 000 IO/s
- Scrittura Sequenziale: 14 000 IO/s
I dati ufficiali sono stati in gran parte confermati dal team di PhoneArena, che ha benchato pesantemente questo componente del Galaxy S6.
Ma cosa ha permesso questo “salto”, rispetto alle memorie “standard”? Le risposte sono 2: il Low-Voltage Differential Signaling ed il Command Queue.
Il primo permette una comunicazione a “due canali”. In parole semplici, la memoria può scrivere e leggere contemporaneamente, risparmiando tempo e risorse energetiche.
Il secondo punto riguarda la possibilità di inviare più comandi insieme, lasciando alla memoria il compito di ordinare la priorità degli stessi. Anche in questo caso, i vantaggi in termini di tempo sono considerevoli.
C’è da dire che le ultime eMMC 5.1 hanno introdotto il CQ, restando però molto inferiori alla soluzione Samsung (soprattutto in lettura).
Il lato performance non è l’unico a rappresentare un passo in avanti. Infatti, visti i nuovi processi produttivi, queste memorie riescono ad occupare il 50% i spazio in meno rispetto alle classiche eMMC (che equipaggiano i device mobili), con tutti i vantaggi che ne derivano in termini di “rimpicciolimento” dei form factor.